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四、測量圖形與(yu) 參數簡介
阻抗分析儀(yi) 可以測量以下參數：
1）諧振頻率Fs：壓電振子等效電路中串聯支路的諧振頻率，在這個(ge) 頻率下，壓電振子的阻抗最小。如下圖標為(wei) “Fs"處的頻率值。
2）最大電導Gmax：壓電振子諧振時的導納值的實部，即“Fs"處的導納實部。
導納圓圖 對數坐標圖 等效電路圖
3）半功率點F1與(yu) F2：從(cong) 導納圓上看，導納實部等於(yu) Gmax／2處的頻率，這樣的頻率有兩(liang) 個(ge) ，大於(yu) Fs的為(wei) F2，小於(yu) Fs的為(wei) F1，如圖上標為(wei) “F1"和“F2"處的頻率值。
4）反諧振頻率Fp：壓電振子並聯支路的諧振頻率，在這個(ge) 頻率下，壓電振子的阻抗最大。如圖上標為(wei) “Fp"處的頻率值。
5）機械品質因數Qm：計算公式為(wei) Qm＝
，其中Fs為(wei) 諧振頻率，F1、F2為(wei) 半功率點。或者Qm＝
，其中R1為(wei) 動態電阻，L1為(wei) 動態電感，C1為(wei) 動態電容。這兩(liang) 個(ge) 公式計算結果相同。
6）自由電容CT：壓電器件在1kHz頻率下的電容值。此值和數字電橋測得的值是一致的。
7）動態電阻R1：即為(wei) 圖中壓電振子串聯支路的電阻。計算公式為(wei) ：R1＝1／Gmax，其中Gmax為(wei) 最大導納。
8）動態電感L1：即為(wei) 圖中壓電振子串聯支路的電感。計算公式為(wei) ：
L1＝
，其中R1為(wei) 動態電阻，F1、F2為(wei) 半功率點。
9）動態電容C1：即為(wei) 圖中壓電振子串聯支路的電容。計算公式為(wei) ：
C1＝
，其中Fs為(wei) 諧振頻率，L1為(wei) 動態電感。
10）靜態電容C0：計算公式為(wei) C0＝CT－C1，其中CT為(wei) 自由電容，C1為(wei) 動態電容。
注：靜態電容也可以根據導納圓圓心和電導軸（G軸）的偏移距離來計算。但是在實際應用中，一般都采用公式C0＝CT－C1，因此這裏也采用C0＝CT－C1作為(wei) 靜電容的計算公式。
11）有效機電耦合係數Keff：
Keff定義(yi) 為(wei) 無負載的壓電振子在機械諧振時，貯存的機械能與(yu) 貯存的全部能量比值的平方根。其計算公式為(wei) ：Keff＝
12）平麵機電耦合係數Kp：
這個(ge) 參數僅(jin) 用於(yu) 壓電陶瓷片，它反映的是薄圓片沿厚度方向極化和電激勵，作徑向伸縮振動時，有關(guan) 其機電耦合效應的參數。計算公式可以在軟件中選擇。
13）自由介電常數：
這個(ge) 參數僅(jin) 適用於(yu) 壓電陶瓷片，計算公式為(wei) ；
，其中CT為(wei) 自由電容，單位是pF；t為(wei) 薄圓片厚度，單位是cm；D為(wei) 薄圓片直徑，單位是cm。
阻抗分析儀(yi) 可以提供以下坐標特性圖：
1）導納坐標係GBF坐標曲線：
左邊曲線：橫坐標——導納實部G、縱坐標——導納虛部B
右邊曲線：紅色——導納實部G、藍色——導納虛部B、縱坐標——頻率
2）阻抗坐標係RXF坐標曲線：
左邊曲線：橫坐標——阻抗實部R、縱坐標——阻抗虛部X
右邊曲線：紅色——阻抗實部R、藍色——阻抗虛部X、縱坐標——頻率
3）阻抗極坐標係ZθF坐標曲線：
紅色——阻抗模|Z|、藍色——阻抗相位、縱坐標——頻率
4）導納極坐標係YθF坐標曲線：
紅色——導納模|Y|、藍色——導納相位、縱坐標——頻率
5）對數坐標係：
左邊曲線：橫坐標——導納實部G、縱坐標——導納虛部B
右邊曲線：紅色——阻抗模的對數Lg|Z|、藍色——阻抗相位、縱坐標——頻率
當前位置：