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型號:GWST-1000
高溫四探針綜合測試係統(包含薄膜

描述:GWST-1000型高溫四探針綜合測試係統(包含薄膜,塊體功能)是為了更方便的研究在高溫條件下的半導體的導電性能,該係統可以*實現在高溫、真空及惰性氣氛條件下測量矽、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率和外延層、擴散層和離子層的方塊電阻及測量其他方塊電阻。

  • 廠商性質

    生產廠家
  • 更新時間

    2025-02-12
  • 訪問量

    1653
詳細介紹
品牌BOROSA/德國產地類別國產
應用領域電子,交通,航天,司法,電氣

GWST-1000型高溫四探針綜合測試係統(包含薄膜,塊體(ti) 功能)

關(guan) 鍵詞:四探針,電阻,方阻

 

GWST-1000型高溫四探針綜合測試係統(包含薄膜,塊體(ti) 功能)是為(wei) 了更方便的研究在高溫條件下的半導體(ti) 的導電性能,該係統可以*實現在高溫、真空及惰性氣氛條件下測量矽、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率和外延層、擴散層和離子層的方塊電阻及測量其他方塊電阻。

二、符合:

1、符合GB/T 1551-2009 《矽單晶電阻率測定方法》、

2、符合GB/T 1552-1995《矽、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》

3、符合美國 A.S.T.M 標準

二、產(chan) 品應用:

1、測試矽類半導體(ti) 、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻;

2、可測柔性材料導電薄膜電阻率/方阻

3、金屬塗層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜(ITO膜)電阻率/方阻

4、納米塗層等半導體(ti) 材料的電阻率/方阻

5、電阻器體(ti) 電阻、金屬導體(ti) 的低、中值電阻以及開關(guan) 類接觸電阻進行測量

6、可測試電池極片等箔上塗層電阻率方阻

三、主要技術參數

溫度範圍:RT-1000℃
升溫斜率:0-10℃/min (典型值:3℃/min)
控溫精度:±0.1℃
電阻測量範圍:0.1mΩ~1MΩ
電阻率測量範圍:100nΩ..cm~100KΩ .cm
測量環境:惰性氣氛、還原氣氛、真空氣氛
測量方法:四線電阻法,探針法
測試通道:單通道或是雙通道
樣品尺寸:10mmx10mmX20mm或φ<20mm ,d<5mm
電極材料:鉑銥合金電極(耐高溫,抗氧化)
絕緣材料:99氧化鋁陶瓷
數據存儲(chu) 格式:自動分析數據,可以分類保存,樣品和測量方案結合在一起,生成係統所需的實驗方案,輸出TXT、XLS、BMP等格式文件

數據傳(chuan) 輸:USB
符合標準:ASTM
供電:220V±10%,50Hz
工作溫度:5℃ 至 + 40 ℃;

工作濕度:+40 ℃ 時,相對濕度高達 95%(無冷凝)
設備尺寸: L360mm*W370mm*H510mm
重量:22kg

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