JKZC-BMZD01型薄膜介電常數（ε）及損耗測試儀(yi) （tgd）

JKZC-BMZD01型薄膜介電常數（ε）及損耗測試儀(yi) （tgd）

關(guan) 鍵詞：介電常數（ε），損耗測試儀(yi) （tgd），品質因數(Q)，頻率(f)

       JKZC-BMZD01型薄膜介電常數（ε）及損耗測試儀(yi) （tgd）是目前針對PVDF薄膜材料，是一款真正意義(yi) 上的絕緣薄膜材料介電常數及介質損耗測試儀(yi) 。是目前能夠處理的介電常數（ε）和介損（tgd）的圖譜。GB/T1693-2007主要用於(yu) 測量高壓工業(ye) 絕緣材料的介質損耗角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經典線路。主要可以測量電容器，互感器，變壓器，各種電工油及各種固體(ti) 絕緣材料在工頻高壓下的介質損耗( tgd)和電容量( Cx)以，其測量線路采用“正接法"即測量對地絕緣的試品。電橋由橋體(ti) 、指另儀(yi) 、跟蹤器組成，本電橋特別適應測量各類絕緣油和絕緣材料的介損（tgd）及介電常數（ε）。

   JKZC-BMZD01型薄膜介電常數及損耗測試儀(yi) 是一款針對薄膜測試的專(zhuan) 用設備，測試薄膜介電常數及損耗需要特製的夾具，通過軟件可以采集到介損（tgd）及介電常數（ε）器件的介電性能測量與(yu) 分析，可測試以下參數隨頻率(f)、電平(V)、偏壓(Vi)的變化規律：電容(C)、電感(L)、電阻(R)、電抗(X)、阻抗(Z)、相位角(Ø)、電導(B)、導納(Y)、損耗(D)、品質因數(Q)等參數，同時計算獲得反應材料介電性能的複介電常數和損耗參數。

                            薄膜介電常數（ε）

                     薄膜介損（tgd）圖譜

三電極結構設計：

微調千分尺：微調千分尺具備0.001mm的調節精度，可精細化調節上下電極之間的距離。

平行板測試電極：下電極固定在底部支撐座，上電極可由微調千分尺調節行程距離。上電極帶有保護電極。

上電極片：上電極標配有2mm球頭電極、φ26.8mm圓片電極和φ38mm圓片電極。可根據樣品大小隨時更換。

鎖緊裝置：當樣品放入上下電極之間後，可調節此鎖緊裝置，固定上下電極的調節行程。防止輕微移動引起的刻度偏差。

嚴(yan) 格按照ASTM   D150國際標準設計，電極表麵鍍金處理，導電性能好、抗氧化，使用壽命更長

一、真正的三電極設計

介電夾具基於(yu) ASTM D150標準試驗方法，采用三電極法設計。上電極+下電極+保護電極，電極表麵鍍金處理，導電性能好、抗氧化。為(wei) 消除測試連接線阻抗及連接線之間相互耦合對測試的影響，儀(yi) 器與(yu) 夾具電極連接采用4端對法。

得益於(yu) 測試線纜和電極引線的良好屏蔽，屏蔽層直達測試電，因此獲得更高的校準頻率。

2.校準頻率最高可達100MHz

適配的阻抗分析儀(yi) 更加豐(feng) 富，充分利用測試儀(yi) 器的測試頻率範圍（20Hz-120MHz），以滿足測試樣品對更高頻率的要求。

3.高精度調節行程

適配高精度微調千分尺，可調精度為(wei) 0.001mm，

上電極可調行程為(wei) 12mm，並帶有鎖緊裝置，可有效鎖定當前刻度位置，確保測試的穩定性和準確性。

標配26.8/38mm尺寸電極片，可滿足不同尺寸樣品測量，樣品安裝方便、簡單

主要技術參數：

1、測試頻率：DC~100MHz

2、樣品要求：雙麵塗覆電極，保持平整、光滑

3、樣品尺寸：2mm≤φ≤60mm，厚度≤10mm

4、電極圓片：無。有效麵積：樣品上下塗覆電極垂直重疊部分麵積

5、誤差分析：存在邊緣電容，樣品表麵凹陷處被導電體(ti) 填充

6、測試接口：4個(ge) SMA母頭

7、上電極：φ2mm球頭電極+φ26.8mm圓片電極+φ38mm圓片電極

8、保護電極：上電極帶保護電極，電極表麵鍍金

9、上電極壓力調節：12mm行程調節，用於(yu) 上電極與(yu) 樣品良好的電性能接觸

10、帶電極樣品尺寸：2mm≤φ≤60mm，厚度≤10m

11、設計標準：ASTM D150和D2149-97國際標準，GB/T1409-2006國家標準

12、電極結構：兩(liang) 平行板電極+保護電極，三電極結構

13、電極引線：同軸屏蔽線，消除電磁幹擾對測試影響

14、下電極：φ60mm鍍金圓片電極

15、上電極行程調節：12mm行程調節，用於(yu) 樣品安裝

16、數據存儲(chu) ：數據庫保存各類實驗數據，同時輸出TXT、XLS、BMP等格式文件，對實驗數據提供豐(feng) 富的查詢與(yu) 分析，輸出圖形與(yu) 數據。