描述：內存窗口信息是基於對器件*集成後進行模擬電滯回線測量後得出的。

應用領域：
鐵電存儲器的生產
生產過程中的質量控製，以便不會影響到CMOS生產過程
在MHz的操作速度下，單級電滯回線數據

優點：
生產過程的工藝優化
在MHz範圍的時間影響測試
適用於2T-2C 設計和1T-1C設計

鐵電隨機存儲(chu) 器測試儀(yi)
FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) Cell Tester

內(nei) 存窗口信息是基於(yu) 對器件*集成後進行模擬電滯回線測量後得出的。

應用領域：
鐵電存儲(chu) 器的生產(chan)
生產(chan) 過程中的質量控製，以便不會(hui) 影響到CMOS生產(chan) 過程
在MHz的操作速度下，單級電滯回線數據

優(you) 點：
生產(chan) 過程的工藝優(you) 化
在MHz範圍的時間影響測試
適用於(yu) 2T-2C 設計和1T-1C設計
從(cong) 模擬測試數據得出內(nei) 存窗口信息
客戶可定製測試環境
升級服務
客戶支持

程序功能：
可以在單一器件上進行電滯回線、PUND脈衝(chong) 測試等測試過程。
上升時間可實現1μm，自定義(yi) 的測試脈衝(chong) 可以用於(yu) 測試不同類型的失效機製。預極化脈衝(chong) 參數可以在測試序列裏單獨設置。
可以使用Access Time程序進行相同脈衝(chong) 強度下不同幅值相同脈衝(chong) 寬度或相同脈衝(chong) 幅值不同脈衝(chong) 寬度的測試。
這些測試是基於(yu) 的技術：原位寄生電容補償(chang) 。

特點：
FeRAM測試儀(yi) 是用來記錄全麵的測試單元電滯回線的，測試儀(yi) 生成所需要的時間。
如果芯片的布局發生變化，可以自動獲取材料特性較大的陣列。這種情況下，測試儀(yi) 是用一個(ge) 開關(guan) 盒和一個(ge) 探針台工作的。軟件可以自動調整設置的參數。
參數的統計評價(jia) 是通過aixPlorer完成的。
FeRAM測試儀(yi) 最大的優(you) 點就是可以使重要信息流程化，從(cong) 而提高產(chan) 量，降低了成本，從(cong) 而減少了產(chan) 品上市的時間。相關(guan) 的數字結果和模擬實驗提供了重要信息。
FeRAM測試儀(yi) 擁有高分辨測量和速度到微秒的測量功能。