描述：應用領域主要有：
Ferroelectric/ Multiferroic Tunnel-Junctions (FTJ/MFTJ) 鐵電/多鐵隧道結
Electro-Chemical Metallization Memory (ECM) 電化反應存儲器
Magnetoresistive Tunnel-Junctions (MTJ) 磁阻隧道結
Electronic Effect Memory (EE

RRAM阻變式存儲(chu) 器測試儀(yi)
(RRAM or ReRAM Test Systems)

本設備是世界*的阻變式存儲(chu) 器 （ReRAM/RRAM，Resistive Random Access Memory）測試係統。

應用領域主要有：
Ferroelectric/ Multiferroic Tunnel-Junctions (FTJ/MFTJ) 鐵電/多鐵隧道結
Electro-Chemical Metallization Memory (ECM) 電化反應存儲(chu) 器
Magnetoresistive Tunnel-Junctions (MTJ) 磁阻隧道結
Electronic Effect Memory (EEM) 電子效應存儲(chu) 器
Thermo-Chemical Memory (TCM) 熱化存儲(chu) 器
Valence Change Memory (VCM) 價(jia) 變存儲(chu) 器
Phase Change Memory (PCM) 相變存儲(chu) 器
Nano Electro-Mechanical Memory (NEMM) 納米機電存儲(chu) 器
Molecular Electronic Switch 分子電子開關(guan)

電阻開關(guan) 測試係統Resistive Switching Test Systems RS係列儀(yi) 器是aixACCT公司*產(chan) 品，用於(yu) 電阻特性隨機存儲(chu) 器（RRAM）和電阻開關(guan) （RS）的研究測試。
RS係列儀(yi) 器能夠提供相當廣的範圍的測試解決(jue) 方案，範圍涵蓋從(cong) 納米尺度的表征到超高速器件的測試，從(cong) 獨立的研發級的桌上型測試係統到半導體(ti) 生產(chan) 線。

研究及工業(ye) 級係統 Research and Industry Tools
模塊化的設計理念，使得aixACCT產(chan) 品可以在任何時候從(cong) 基本的材料表征工具升級其他的選件配置。這提供了最大的靈活性，可以使您的測試係統達到針對您的材料或器件發展的任何階段的特定要求。

RRAM測試係統可以很容易的和其他設備或通用軟件聯用，如：
從(cong) 1英寸到8英寸晶圓的熱台；
用於(yu) 樣品平行測試的Switchbox係統
用於(yu) 晶圓掃描信息的自動晶圓探針台
自動性能測試序列的遠程控製
脈衝(chong) 發生器、數字采樣示波器

aixACCT公司開發出了一種通用的RS模塊用於(yu) 電阻開關(guan) 存儲(chu) 器的測試。係統基於(yu) TF Analyzer 2000係統，聯用RS模塊和特定的電流監視放大器，可以滿足RRAM的表征。 係統配置了高精度電壓和電流源以及高級電壓、電流監視放大器。aixACCT的超快電流和電壓適應性保證了每次電阻開關(guan) 係統測試的高精度和可靠性測量。

該測試係統*兼容aixACCT的測試軟件和選配軟件工具，可以提供可靠性測試和數據分析及交換。

應用：
單極及雙極偏壓的I-V表征；
電壓驅動的電流響應測試及電流驅動的電壓響應測試；
可靠性和疲勞測試；
可編程編成程序；
可靠性和耐久性測試

優(you) 點：
一站式單極偏壓和雙極偏壓電阻開關(guan) 材料的綜合評價(jia) （TCM,ECM和VCM係統）；
超快響應係統（設置時間<100ns）；
調停過程電流電壓響應的真實電流電壓值的記錄係統；
可實現遠程訪問和腳本控製；
可選的數據庫連接（ODBC）方便確定材料/器件特征；
升級服務；客戶支持