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型號:
SCD-1500型半導體C-V特性分析儀

描述:SCD-1500型半導體C-V特性分析儀創新性地采用了雙CPU架構、Linux底層係統、10.1英寸電容式觸摸屏、中英文操作界麵、內置使用說明及幫助等新一代技術,適用於生產線快速分選、自動化集成測試及滿足實驗室研發及分析。半導體C-V特性分析儀測試頻率為10kHz-2MHz,VGS電壓可達±40V,足以滿足二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導體件CV特性測試分析。

  • 廠商性質

    生產廠家
  • 更新時間

    2025-03-20
  • 訪問量

    956
詳細介紹
品牌ABB

SCD-1500型半導體(ti) C-V特性分析儀(yi)

關(guan) 鍵詞:半導體(ti) ,C-V特性,集成電路


   

SCD-1500型半導體(ti) C-V特性分析儀(yi) 創新性地采用了雙CPU架構、Linux底層係統、10.1英寸電容式觸摸屏、中英文操作界麵、內(nei) 置使用說明及幫助等新一代技術,適用於(yu) 生產(chan) 線快速分選、自動化集成測試及滿足實驗室研發及分析。半導體(ti) C-V特性分析儀(yi) 測試頻率為(wei) 10kHz-2MHzVGS電壓可達±40V,足以滿足二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導體(ti) 件CV特性測試分析。

一、主要應用範圍:

半導體(ti) 元件/功率元件
二極管、三極管、MOSFETIGBT、晶閘管、集成電路、光電子芯片等寄生電容測試、C-V特性分析

半導體(ti) 材料
晶圓、C-V特性分析

液晶材料
彈性常數分析

二、性能特點:

通道:2(可擴展至6

高偏置:VGS0 - ±40VVDS0200V,1500V,3000V

CPU架構,最短積分時間0.56ms1800/秒)

10.1英寸電容式觸摸屏,分辨率1280*800Linux係統

點測、列表掃描、圖形掃描(選件)三種測試方式

四寄生參數(CissCossCrssRg)同屏顯示

快速導通測試Cont

一體(ti) 化設計:LCR+高壓源+繼電器矩陣

快速充電,縮短電容充電時間,實現快速測試

自動延時設置

10檔分選

三、功能特點

A.單點測試,10.1英寸大屏,四種寄生參數同屏顯示,讓細節一覽無遺

10.1英寸觸摸屏、1280*800分辨率,Linux係統、中英文操作界麵,支持鍵盤、鼠標、LAN接口,帶來了無以倫(lun) 比的操作便捷性。

MOSFET最重要的四個(ge) 寄生參數:CissCossCrssRg在同一個(ge) 界麵直接顯示測量結果,並將四個(ge) 參數測試等效電路圖同時顯示,一目了然。

多至6個(ge) 通道測量參數可快速調用,分選結果在同一界麵直接顯示。

B.列表測試,靈活組合

SCD-1500型半導體(ti) C-V特性分析儀(yi) 支持最多6個(ge) 通道、4個(ge) 測量參數的測試及分析,列表掃描模式支持不同通道、不同參數、不同測量條件任意組合,並可設置極限範圍,並顯示測量結果 。


C.曲線掃描功能(選件)

SCD-1500型半導體(ti) C-V特性分析儀(yi) 支持C-V特性曲線分析,可以對數、線性兩(liang) 種方式實現曲線掃描,可同時顯示多條曲線:同一參數、不同Vg的多條曲線;同一Vg、不同參數多條曲線 。


C.曲線掃描功能(選件)

SCD-1500型半導體(ti) C-V特性分析儀(yi) 支持C-V特性曲線分析,可以對數、線性兩(liang) 種方式實現曲線掃描,可同時顯示多條曲線:同一參數、不同Vg的多條曲線;同一Vg、不同參數多條曲線 。


D.簡單快捷設置


E.10檔分選及可編程HANDLER接口

儀(yi) 器提供了10檔分選,為(wei) 客戶產(chan) 品質量分級提供了可能,分選結果直接輸出至HANDLER接口。

在與(yu) 自動化設備連接時,怎麽(me) 配置HANDLER接口輸出,一直是自動化客戶的難題,TH510係列將HANDLER接口腳位、輸入輸出方式、對應信號、應答方式等可視化,讓自動化連接更簡單。


F.支持定製化,智能固件升級方式

SCD-1500型半導體(ti) C-V特性分析儀(yi) 客戶而言是開放的,儀(yi) 器所有接口、指令集均為(wei) 開放設計,客戶可自行編程集成或進行功能定製,定製功能若無硬件更改,可直接通過固件升級方式更新。

儀(yi) 器本身功能完善、BUG解決(jue) 、功能升級等,都可以通過升級固件(Firmware)來進行更新,而無需返廠進行。

固件升級非常智能,可以通過係統設置界麵或者文件管理界麵進行,智能搜索儀(yi) 器內(nei) 存、外接優(you) 盤甚至是局域網內(nei) 升級包,並自動進行升級

G.半導體(ti) 元件寄生電容知識

在高頻電路中,半導體(ti) 器件的寄生電容往往會(hui) 影響半導體(ti) 的動態特性,所以在設計半導體(ti) 元件時需要考慮下列因數在高頻電路設計中往往需要考慮二極管結電容帶來的影響;MOS管的寄生電容會(hui) 影響管子的動作時間、驅動能力和開關(guan) 損耗等多方麵特性;寄生電容的電壓依賴性在電路設計中也是至關(guan) 重要,以MOSFET為(wei) 例。


技術參數

1、通道:2通道(可擴展6通道)

2、顯示:液晶顯示,觸摸屏

3、 測量參數:C、L、X、B、R、G、D、Q、ESR、Rp、θ、|Z|、|Y|

4、測試頻率:10kHz-2MHz

5、 精度:0.01%

6、分辨率:10mHz  1.00000kHz-9.99999kHz

7、電壓範圍:5mVrms-2Vrms

8、精度:±10%×設定值+2mV

9、 VGS電壓: ±40V,準確度:1%×設定電壓+8Mv,分辨率;1mV(0V-±10V)

10、 VDS電壓:0 - 200V

11、精度:1%×設定電壓+100mV

12、 1%×設定電壓+100mV

13、輸出阻抗:100Ω±2%@1kHz

14、軟件:C-V特性曲線分析,對數、線性兩(liang) 種方式實現曲線掃描


 



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