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2017-11-08
+2019-06-05
+2017-10-27
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詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 國產 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 環保,能源,電子/電池,綜合 |
關(guan) 鍵詞：體(ti) 載流子濃度、表麵載流子濃度、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾係數(Hall Coefficient)、磁致電阻
HEM-500HA高低溫電磁型全自動霍爾效應測試係統本儀(yi) 器係統由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源、高精度電壓表、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀(yi) ，係統軟件組成。為(wei) 本儀(yi) 器係統專(zhuan) 門研製的CH-320A效應儀(yi) 將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量複雜的切換繼電器——開關(guan) 組裝成一體(ti) ，大大減化了實驗的連線與(yu) 操作。可單獨做恒流源、微伏表使用。實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體(ti) 載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表麵載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾係數(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等等。用於(yu) 測量半導體(ti) 材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾係數等重要參數，而這些參數是了解半導體(ti) 材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試係統是理解和研究半導體(ti) 器件和半導體(ti) 材料電學特性工具。
可測試材料：
物理學參數 | 載流子濃度 （Carrier Density） | 103cm-3 ～ 1023cm-3 |
遷移率（Mobility） | 0.1cm2/volt*sec ～108cm2/volt*sec | |
電阻率範圍（Resistivity） | 10-7 Ohm*cm～1010 Ohm*cm | |
霍爾電壓 （Hall voltage） | 0.1uV ～ 10V | |
霍爾係數 | 10-5 ～ 1027cm3/C | |
可測試材料類型 | 半導體(ti) 材料 | SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP,AlGaAs, HgCdTe和鐵氧體(ti) 材料等 |
低阻抗材料 | 石墨烯、金屬、透明氧化物、 弱磁性半導體(ti) 材料、TMR材料等 | |
高阻抗材料 | 半絕緣的GaAs, GaN, CdTe等 | |
材料導電粒子 | 材料的P型與(yu) N型測試 | |
磁場環境 | 磁鐵類型 | 可變極性電磁鐵 |
磁場大小 | 2000mT（極頭間距為(wei) ：10mm） 1500mT（極頭間距為(wei) ：20mm） 1000mT（極頭間距為(wei) ：30mm） 800mT（極頭間距為(wei) ：40mm） 600mT（極頭間距為(wei) ：50mm） | |
霍爾效應測試磁場 | 高低溫霍爾效應中極頭間距為(wei) 40mm，此時磁場最大為(wei) 800mT | |
均勻區 | 1% | |
最小分辨率 | 0.1Gs | |
可選磁環境 | 可根據客戶需求定製相關(guan) 磁性大小的電磁鐵， | |
電學參數 | 電流源 | 1.00nA-1000.00mA |
電流源分辨率 | 1pA | |
測量電壓 | 0～±10V | |
電壓測量分辨率 | 0.0001mV | |
溫度環境 | 80K ～ 773K（高低溫溫度調節0.1K） | |
控溫精度 | 小於(yu) 0.05%F.S±1個(ge) 字 | |
其他配件 | 遮光性 | 外部安裝遮光部件，使得測試材料更加穩定 |
樣品尺寸 | 10mm*10mm（標準） 16mm*16mm（最大） | |
箱式機櫃 | 600*600*1000mm | |
測試樣片 | 提供中國科學院半導體(ti) 所霍爾效應 標準測試樣片及數據：1套 （矽、鍺、砷化镓、銻化銦） | |
製作歐姆接觸 | 電烙鐵、銦片、焊錫、漆包線等 | |
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