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2025-03-19
+2016-07-08
+2020-10-20
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詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 國產 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 環保,能源,電子/電池,綜合 |
關(guan) 鍵詞：濃度、遷移率、電阻率、霍爾係數，半導體(ti)
係統組成：HEM-200 高低溫霍爾效應測試係統本儀(yi) 器係統由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源、高精度電壓表、矩陣卡、霍爾效應樣品支架、標準樣品、係統軟件組成。本套係統測試應用的是最新的KEITHLEY 進口測試源表，配合配套的低延遲寬帶寬的矩陣卡，極大提高了樣品的供電電流和測試樣品的霍爾電壓的量程和精度，寬電流供電和寬電壓測試範圍可以覆蓋市麵上絕大多數的半導體(ti) 器件。用於(yu) 測量半導體(ti) 材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾係數等重要參數，而這些參數是了解半導體(ti) 材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試係統是理解和研究半導體(ti) 器件和半導體(ti) 材料電學特性的工具。 實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體(ti) 載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表麵載流子濃度 (Sheet Carrier Concentration)、遷移率 (Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾係數(Hall Coefficient)、磁致電阻 (Magnetoresistance)等等。
係統參數:
我們(men) 可提供各類霍爾效應測試係統用於(yu) 教學和研究
可測試材料:
物理學參數 | 載流子濃度(Carrier Density) | 103cm-3~ 1023cm-3 |
遷移率(Mobility) | 0.1cm2/volt*sec ~108cm2/volt*sec | |
電阻率範圍(Resistivity) | 10-70hm*cm~ 10100hm*cm | |
霍爾電壓(Hall voltage) | 10nV~ 200V | |
霍爾係數 | ±10-5~ 1027cm-3/C | |
可測試材料類 | 半導體(ti) 材料 | SiGe,SiC,InAs,InGaAs,InP,AlGaAs,HgCdTe 和鐵氧體(ti) 材料等 |
低阻抗材料 | 石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體(ti) 材料、TMR 材料等 | |
高阻抗材料 | 半絕緣的 GaAs，GaN，CdTe 等 | |
材料導電粒子 | 材料的P型與(yu) N型測試 | |
磁鐵類型 | 磁場可變電磁鐵 | |
磁場環境 | 磁場大小 | 2000mT(極頭間距為(wei) :10mm) 1500mT(極頭間距為(wei) :20mm ) 1000mT(極頭間距為(wei) :30mm ) 800mT(極頭間距為(wei) :40mm) 600mT(極頭間距為(wei) :50mm) |
霍爾效應測試磁場 | 霍爾效應中極頭間距為(wei) 30mm，此時磁場最大為(wei) 1000mT | |
均勻區 | 1% | |
最小分辨率 | 0.1Gs | |
可選磁環境 | 可根據客戶需求定製相關(guan) 磁性大小的電磁鐵 | |
電學參數 | 電流源 | ±0.1nA—±1000mA |
電流源分辨率 | 0.01nA | |
測量電壓 | ±10nV—±200V | |
溫度環境 | 80K~500K | |
控溫精度 | 0.1K | |
其他配件 | 遮光性 | 外部安裝遮光部件，使得測試材料更加穩定 |
樣品尺寸 | 10mm*10mm(標準) 16mm*16mm（最大） | |
箱式機櫃 | 600*600*1000mm | |
測試樣片 | 提供中國科學院半導體(ti) 所霍爾效應 標準測試樣片及數據：1 套 （矽、鍺、砷化镓、銻化銦） | |
製作歐姆接觸 | 電烙鐵、銦片、焊錫、漆包線等 |
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