TF ANALYZER 2000E是一款擴展性的模塊化鐵電壓電分析儀(yi) ，具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測試功能，可與(yu) 激光幹涉儀(yi) 和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳(chuan) 感器聯用，可廣泛地應用於(yu) 如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體(ti) 材料和電子陶瓷、鐵電傳(chuan) 感器/執行器/存儲(chu) 器等領域的研究。

鐵電壓電分析儀(yi) TF Analyzer 1000 TF ANALYZER 1000是一款緊湊型鐵電壓電分析儀(yi) ，具備鐵電、壓電材料所有基本特性測試功能，可與(yu) 激光幹涉儀(yi) 和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳(chuan) 感器聯用，適用於(yu) 薄膜、厚膜和塊狀陶瓷及鐵電器件等分析測試。

內(nei) 存窗口信息是基於(yu) 對器件*集成後進行模擬電滯回線測量後得出的。應用領域： 鐵電存儲(chu) 器的生產(chan) 生產(chan) 過程中的質量控製，以便不會(hui) 影響到CMOS生產(chan) 過程 在MHz的操作速度下，單級電滯回線數據優(you) 點： 生產(chan) 過程的工藝優(you) 化 在MHz範圍的時間影響測試 適用於(yu) 2T-2C 設計和1T-1C設計

本設備主要用來研究電子陶瓷材料的遲豫性能，也就是介電體(ti) 和鐵電材料的極化和去極化電流的，即施加電壓階躍後的電流響應。該測試能將材料的馳豫電流和漏電流分開，並可記錄極化響應電流和去極化響應電流。 技術說明：

雙光束激光幹涉儀(yi) 專(zhuan) 門用於(yu) 壓電薄膜的蝴蝶曲線和縱向壓電係數d33的測試。 這一台適合於(yu) 從(cong) 小尺寸薄膜到8英寸晶圓表征的雙光束激光幹涉儀(yi) 。 半自動的係統用於(yu) 8“晶圓上的MEMS器件的壓電性和電性相關(guan) 性能的測試。 大量樣品測試的重複精度可達2%以上。

熱釋電性能測試儀(yi) aixPYM (Pyroelectric Measurement)本係統主要用於(yu) 薄膜及塊體(ti) 材料變溫的熱釋電性能測試。 薄膜材料變溫範圍：-196℃到+600℃； 塊體(ti) 材料變溫範圍：室溫到200℃、室溫到600℃、室溫到800℃、-100℃到+600℃、-184℃到+315℃五種夾具可選。